静电的危害分为突发失效和潜在失效两类,后者危害性更大。常见的危害如下:
1 MOS结构的元器件,由静电荷过高引起的介质击穿,造成短路(高泄露);
2 半导体结构的元器件,由过热引起的微等离子区二次击穿,造成微扩散;
3 膜电阻器结构的元器件,由于介质击穿,与电压有关的新电流通路的形成;
4 金属化条结构的元器件(混合IC 单片IC),静电造成与焦耳热有关的开路;
5 压电晶体结构的元器件,受静电干扰引起机械压力震荡过大造成晶体断裂。
企业遇到的静电困扰
1 静电危害造成成品半成品报废--------导致经济成本损失
2 持续投入费用然而预防效果不理想------如何准确发现静电产生的根源
3 处于创业成长期的企业--------配备专业人员及购买测试仪器,成本费用太大
4 处于发展期规模企业---ESD现场日常管理难度大不规范,部门之间相互推诿
5 客户考察生产现场-------ESD审核不通过
企业遇到的静电困扰问题,根源是解决静电对策的思路问题,简单有效的办法-----把专业的问题交给专业的公司,筛选适合本公司的较优方案,分阶段有步骤落实推进 ——VESD静电压监测系统是斯泰科微自主研发的第三代控制系统,由MES传感器硬件(如传感器探头,监测主机,无线智能信息收发器等),PC终端显示+工控电脑三部份组成。
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